Южнокорейская компания SK hynix представила обновленный план развития своих технологий DRAM и NAND на конференции SK AI Summit 2025. Производитель подтвердил, что новое поколение графической памяти GDDR7-Next и твердотельных накопителей PCIe Gen7 появится не ранее 2029-2031 годов. Этот дорожная карта охватывает как стандартные продукты, так и решения, адаптированные для задач ИИ в сфере высокопроизводительных вычислений, оперативной и флэш-памяти NAND.
2026-2028: HBM4, LPDDR6 и SSD на PCIe Gen6
В течение следующих трех лет SK hynix будет сосредоточена на HBM4 с многослойными конструкциями 16-Hi и HBM4E в вариантах 8, 12 и 16-Hi, а также создаст кастомизированные версии HBM4E для отдельных клиентов.
В линейке стандартных модулей оперативной памяти лидирующую позицию займет LPDDR6, нацеленная на мобильные устройства и ультратонкие ноутбуки. Для задач искусственного интеллекта SK hynix разрабатывает специальную серию AI-D, которая будет включать:
- LPDDR5X SOCAMM2,
- MRDIMM Gen2,
- LPDDR5R,
- CXL LPDDR6-PIM второго поколения, позволяющую интегрировать вычисления прямо в модули памяти.
В области NAND компания планирует выпустить PCIe Gen5 eSSD объемом до 245 ТБ с использованием QLC-чипов, а также PCIe Gen6 eSSD для корпоративного сегмента и cSSD для конечных пользователей. В мобильном сегменте будут доступны версии UFS 5.0 и ранняя серия AI-N, сочетающая память с основными логическими вычислениями для ИИ.
2029-2031: Эра DDR6, GDDR7-Next и 400-слойной NAND
Вторая часть плана охватывает 2029-2031 годы, когда будет представлена GDDR7-Next — новое поколение графической памяти, которое превзойдет текущую GDDR7 (работающую на скорости 30-32 Гбит/с и с потенциалом до 48 Гбит/с). Это предполагает, что производители GPU могут продолжать использование GDDR7 еще несколько лет до перехода на ее наследника.
В то же время SK hynix разрабатывает DDR6 и 3D DRAM, которые, как ожидается, начнут поступать в потребительские ПК и серверные системы к концу десятилетия.
Серия HBM также продолжит свое развитие: после HBM4E и кастомных решений компания планирует выпускать HBM5 и HBM5E, включая специальные версии. В таких вариантах большая часть логики (контроллер и протокольные IP) будет перемещена в основной слой кристалла, что поможет снизить потребление энергии и освободить пространство на GPU или ASIC. Производство этих базовых кристаллов будет происходить в сотрудничестве с TSMC.
В сегменте NAND появится новый уровень производительности — PCIe Gen7 eSSD и cSSD, UFS 6.0, а также 4D NAND с более чем 400 слоями. Для систем с искусственным интеллектом компания готовит AI-N P «Storage Next» и AI-N B на основе High-Bandwidth Flash, что обеспечит крайне высокую пропускную способность хранения данных.
Источник: videocardz
